256MB-Speichermodule
Für i440BX/ZX/MX und i810 gilt:
- 256MB Module mit 8 Chips sind nicht kompatibel
- 256MB Module mit 16 Chips sind meistens kompatibel - es gibt Ausnahmen!
Eine (unvollständige) Kompatibilitätsliste ist weiter unten
zu finden.
Ob Speichermodule kompatibel sind hängt von der Technologie der der
SDRAM-Chips ab. Chipsatzhersteller beziehen sich dabei auf die MBit-Kapazität,
was jedoch nicht eindeutig ist. Kennzeichnend sind
- Bitbreite der Row-Adresse
- Bitbreite der Column-Adresse
- Bank-Anzahl (i.d.R. 4)
- Refresh-Typ
der verwendeten SDRAM-Chips, deren Daten aus dem Datenblatt entnommen werden
müssen.
Aus den Bitbreiten von Row-, Column- und Bankadresse sowie Datenbusbreite
ergibt sich die MBit-Zahl. Z.B. 12 Row-, 10 Column-, 2 Bank-Leitungen (4 Bänke)
eines x8-Chips: 2^(12+10+2)*8Bit=128MBit.
In den Datenblättern verschiedener Chipsätze wird angemerkt, dass auch die
Bitbreite des Datenbusses der SDRAM-Chips ein Kriterium darstellt, was ich nicht
bestätigen konnte: die Module funktionieren einwandfrei, jedoch nur mit halber
Kapazität aufgrund fehlender Adressierungsmöglichkeit.
Kriterium: Adressierung
Über die o.g. MBit-Technologie lässt sich grob eine Einteilung treffen. Intel
440BX/ZX/MX und 810er-Chipsätze können keine 256MBit-Technologie verwalten.
128MBit-Technologie ist nur mit 16Mx8-Chips kompatibel. Grund dafür sind die vom
SDRAM-Controller des Chipsets möglichen RAM-Adressierungsmöglichkeiten, die Row-
und Column-Adresse erzeugen. Die o.g. Intel-Chipsätze unterstützen
- max. 12 Bit Row-Adresse
- max. 10 Bit Column-Adresse.
So kann z.B. ein 32Mx4-128MBit-Chip mit 12/11-Adressierung nicht
(vollständig) benutzt werden, genauso wenig wie ein 16Mx16-256MBit-Chip mit
13/9-Adressierung.
Weitere Infos zur Adressierung von SDRAMs habe ich hier
zusammen gefasst.
Kriterium: Refresh
Die Intel 440er-Chipsätze unterstützen nur die Standard-Refresh-Rate (4k/64ms
bzw. 15,6µs). Bisher habe ich nur 256MBit-SDRAMs gesehen, die
Reduced-Refresh-Rate (8k/64ms bzw. 7,8µs) haben.
Reduced-Refresh-Module laufen zwar (mit halbierter Größe) auf dem 440BX,
werden damit aber nicht nach den Spezifikationen betrieben, was zu Datenverlust
führen kann.
Die Kompatibilität wird einmal durch die Refresh-Zyklen-Zahl bestimmt - das hat
nichts mit CPU oder PC100 zu tun:
- der 440BX benötigt 4k-Refresh-Chips bzw. -Module; 8k-Refresh ist
unkompatibel
- nicht alle 16-Chip-Module haben 4k-Refresh (z.B. KVR133X64SC3/256 mit
16x HYB39S256800DC-7)
- nicht alle 8-Chip-Module haben 8k-Refresh
- 16-Chip-Module haben sehr häufig 4k-Refresh und sind damit kompatibel
- 8-Chip-Module haben sehr häufig 8k-Refresh und sind damit unkompatibel
Es gibt aber
auch Module, bei denen die Chips vergossen oder verdeckt sind und nicht mehr als
einzelne erkennbar sind (SwissBit, OptoSys, Infineon). Hier kann nur das
Datenblatt Sicherheit geben. Die Angabe von PC100 oder rückwärtskompatibel zu
PC100 dazu zu sein ist nicht aussagekräftig. Das sehr häufig diskutierte Thema
"Low Density" oder "High Density" ist meiner Meinung nach genauso wenig
aussagekräftig wie die Chip-Anzahl pro Modul. Die Begriffe "Low Density" und
"16-Chip" werden oft zur Kennzeichnung 440BX-kompatibler Module verwendet.
Es gibt auch 16-Chip-Module, die nicht kompatibel mit den
440er-Chipsätzen sind, wenn sie aus "32Mx4"-SDRAMs aufgebaut sind.
Auch gibt es 32-Chip-Module wie das HB52RD328DC-F für Compaq Armada, die aus
"16Mx4"-SDRAMs aufgebaut sind und wahrscheinlich mit dem 440er funktionieren.
Details
Auf der Suche nach dem Grund, warum 8-Chip-Riegel mit 256MB auf 16Mx16-Basis
nicht mit den 440er-Chipsätzen funktionieren, habe ich bisher nur einen
Anhaltspunkt gefunden: die verwendeten 16Mx16-DRAMs haben 8192 Refresh-Zyklen / 64ms (bei 7,8125μs "Reduced Refresh Rate"), die kompatiblen Module haben
4096 Zyklen (4K-Refresh) (bei 15,625μs). Das würde auch erklären, warum der Z600 das Modul als
256MB erkennt (über SMBus), ein MEMTEST jedoch fehl schlägt. Dies wird auch in diesem sehr
interessanten Artikel beschrieben:
RAM modules compatible with motherboards based on the i440bx chipset
Die "DRAM Refresh Rate" (oder genauer die Refresh Interval Time) wird über das
Register DRR im Chipset gesteuert und ist daher für alle eingesetzten RAMs
gleich. Wenn ausschließlich 7,8125µs-Module eingebaut sind, kommt der Z600 nicht
mal bis zum POST. Die kürzeste programmierbare Taktdauer im DRR ist 15,625µs,
sodass vermutlich der RAM-Inhalt wegen der doppelt so langen Refresh-Periode
verloren wird.
Im Internet kursieren teilweise irreführende Aussagen über die
Kompatibilitätseigenschaft von SD-RAM-Modulen für ältere Chipsätze. Die
Bestimmung anhand der CPU ist nur sehr grob und soll auf den verwendeten
Chipsatz rückschließen. Nur mit der exakten Bezeichnung des Chipsets kann
eine genaue Aussage getroffen werden, welcher und wieviel Speicher kompatibel
ist.
Hier meine
Erkenntnisse, die auf meiner Erfahrung beruhen und durch Datenblätter
belegbar sind. In den Datenblättern ist die Terminologie leider nicht
einheitlich: Rows, Banks und Ranks werden teilweise synonym verwendet. Ich
verwende hier die Begriffe aus dem 440er Datenblatt:
- jede "Row" ist einzeln über die CS#-Leitung anwählbar
(woanders auch als "Rank" oder "Bank" bezeichnet). Ein
SDRAM-Steckplatz hat 2 "Rows": i.d.R. von Vorder- und Rückseite des Moduls
besetzt
- eine "Bank" wird über die 2-Bit-Bank-Adresse adressiert
[BA0/BA1 oder BS0/BS1 - Bank Select]
Die Informationen sind den Intel-Datenblättern entnommen. Im ursprünglichen
Datenblatt des 440BX-Chipsatzes (290633/April 1998) gelten nur 16MBit- und
64MBit-DRAM-Chips als kompatibel. Im Spec-Update (290630/Jan 2001) werden auch
128MBit-DRAMs 16Mx8 freigegeben:
- 128-Mbit technology SDRAM using 16MX8 devices have been
tested in the Intel 82440BX AGPset System Validation (SV) platform using
the 82443BX C-1 stepping. This SDRAM memory configuration was
double-sided. Each SDRAM DIMM module therefore contained a total of
256 Mb of memory. A total of four DIMM modules were available for
testing. There were no detection or sizing problems with this SDRAM
memory array using the 82443BX SV board and 82443BX SV BIOS. The
Intel 440BX AGPset supports the use of 128-Mbit technology SDRAM memory
using the 82443BX C-1 stepping as described in this paragraph. It is
recommended that OEMs wishing to use 128-Mbit technology SDRAM perform
validation using their own BIOS on their own Intel 440BX AGPset systems.
Im ursprünglichen Datenblatt des 440ZX-Chipsatzes (290650/Nov
1998) werden 16MBit und 64MBit DRAMs erlaubt. Da auf den
440ZX-Chipsatz ebenfalls das
Spec-Update
des 440BX zutrifft, ist dieser ebenfalls 128MBit kompatibel.
Für den 440MX-66-Chipsatz werden im ursprünglichen Datenblatt (245052/Juni
1999) von vornherein 16MBit, 64MBit und 128MBit-DRAMs freigegeben.
Es wird zwar in keinem Datenblatt explizit erwähnt, aber die üblichen
8-Chip-128MB-Module haben 8Mx16-DRAMs mit 128MBit drauf und funktionieren
einwandfrei.
Weiterlesen lohnt sich auf dieser Seite:
CPU+Mainboard-FAQ >> 8.
Arbeitsspeicher/Hauptspeicher - RAM
440BX Desktop-Chipsatz
- DRAM-Kontroller unterstützt 4 doppelseitige Module, d.h. 8 Rows
- Adressbus: 14 Leitungen, Multiplex
- bei 16MBit-SDRAMs wird eine Leitung des Adressbusses gemultiplext und
dient als Bank Select
- bei 64MBit/128MBit-SDRAMs werden zwei Leitungen des Adressbusses gemultiplext
und dienen als Bank Select
- unterstützt werden durch die 14 multiplexten Adressleitungen
1Mx64Bit/72Bit bis 16Mx64Bit/72Bit-Rows
- max. 128MB je Row, d.h. max. 4 doppelseitige 256MB-Module (16-Chip)
- unterstützte DRAMs:
- 16MBit: 2Mx8
- 32MBit: 4Mx16, 4Mx4*
- 64MBit: 8Mx8
- 128MBit: 16Mx8 nach
Spec-Update
440ZX-M Mobil-Chipsatz
- wie 440BX Northbridge, mit folgenden Ausnahmen (Quelle: Intel "440ZX-66
AN" 273259-001)
- nur 4 (statt 8) DRAM-Rows, keine Registered DRAMs, kein ECC
- 4 (statt 5) PCI-Bus-Master-Leitungen
- nur Ein-Prozessor-Systeme
- "does not provide Mobile support"
- "All 82443BX Application Notes, Design Guides and other documentation
apply to the 82443ZX"
- DRAM-Kontroller unterstützt 2 doppelseitige Module, d.h. 4 Rows (4
CS#-Leitungen)
- unterstützt werden durch die 14 multiplexten Adressleitungen 1Mx64Bit
bis 16Mx64Bit-Rows
- max. je Row 128MByte, d.h. max. 2 doppelseitige 256MB-Module (16-Chip)
- 16MBit, 64MBit und 128MBit-Technologie
440MX Mobil-Chipsatz
- wie 440BX Northbridge und PIIX4E Southbridge auf einem Chip
- jedoch ohne AGP
- aber zusätzlich AC'97
- DRAM-Kontroller unterstützt 2 doppelseitige Module, d.h. 4 Rows (4
CS#-Leitungen)
- unterstützt werden durch die 14 multiplexten Adressleitungen 1Mx64Bit
bis 16Mx64Bit-Rows
- max. je Row 128MByte, d.h. max. 2 doppelseitige 256MB-Module (16-Chip)
- 16MBit, 64MBit und 128MBit-Technologie
440GX Desktop-Chipsatz
- DRAM-Kontroller unterstützt 4 doppelseitige Module, d.h. 8 Rows
- DRAM Technologie: 16M, 64M, 128M, evtl. 256M
- s.a. Spec Update
- Datenbus 64/72Bit
- Adressbus: 15 Leitungen, Multiplex
- bei 16MBit-SDRAMs wird eine Leitung des Adressbusses gemultiplext und
dient als Bank Select
- bei 64/128/256MBit-SDRAMs werden zwei Leitungen des Adressbusses
gemultiplext und dienen als Bank Select
- unterstützte DRAMs:
- 16MBit: 2Mx8
- 32MBit: 4Mx16 (12/8), 4Mx4*
- 64MBit: 8Mx8 (12/9)
- 128MBit: 16Mx16 (13/9), 16Mx8 (12/10), 16Mx4*
- 256MBit: 32Mx8, 32Mx4*
- 512MBit: 64Mx4*
Konfigurationen
Die 128MB-Module sind (häufig) wie folgt aufgebaut:
- HYS64V16220GDL - 16Mx64, zweiseitig je 4x HYB39S128160CT (2M x 16Bit x 4
Bänke)
- MT8LSDT1664HG/CT16M64S6W8E - 16Mx64, zweiseitig je 4x
MT48LC8M16A2TG (2M x 16Bit x 4 Bänke)
- pro Seite sind vier 8M-Chips mit 16 Bit Breite (8Mx16 = 128MBit)
- jede Seite ist über ein eigenes CS# einer Row zugeordnet (mit je 4
Bänken)
- 12-Bit Row-Adresse
- 9-Bit Column-Adresse
kompatible 256MB-Module sind wie folgt aufgebaut:
- HYS64V32220GBDL - zweiseitig je 8x Chips
- MT16LSDF3264HG - zweiseitig je 8x MT48LC16M8A2FB (4M x 8Bit x 4 Bänke)
- MSGB63S-68KI3 EBE - zweiseitig je 8x TSV684T4I1A
- pro Seite sind acht 16M-Chips mit 8 Bit Breite (16Mx8 = 128MBit)
- jede Seite ist über ein eigenes CS# einer Row zugeordnet (mit je 4
Bänken)
- 12-Bit Row-Adresse
- 10-Bit Column-Adresse
nicht kompatible 256er sind (häufig) so aufgebaut:
- KVR133X64SC3/256 - zweiseitig je 4x MT48LC16M16A2TG (4M x 16Bit x 4
Bänke)
- HYS64V32220GDL - zweiseitig je 4x HYB39S256160CT
- D256MB102 - doppelseitig, zweiseitig je 4x DS2516APTA-7A-E
- pro Seite sind vier 16M-Chips mit 16 Bit Breite (16Mx16 = 256MBit)
- jede Seite ist über ein eigenes CS# einer Row zugeordnet (mit je 4
Bänken)
- 13-Bit Row-Adresse
- 9-Bit Column-Adresse
Nicht kompatible 256MB-Module mit 8 Chips haben also "Reduced Refresh Rate"
(7,8µs), kompatible haben "Normal Refresh Rate" (15,625µs), beide haben "Self
Refresh".
256MB/8-Chip/8k-Module - nicht mit 440er-Chipsatz kompatibel!
Einige Beispiele:
- Samsung M464S3254CTS
- Samsung M464S3254BT2
- Toshiba M464S3254BT2
- KVR133X64SC3/256 (seltsamerweise steht im Datenblatt 4k-Refresh, die
verwendeten ICs MT48LC16M16A2TG bzw. HYB39S256160CT sind aber 8k-Chips)
- HYS64V32220GDL (8x )
Typenliste 256MB-Module
Ausgehend vom Chipsatz anderer Modelle (440BX) sollten diese Module auch im
Z600 funktionieren. Kennzeichnend sind 16 Chips. Es gibt auch 256MB-Module, die
einseitig mit 8 Chips bestückt sind - diese werden vom 440er-Chipsatz nicht unterstützt.
Es gibt wohl auch 8-Chip-Module, die kompatibel sein müssten:
- M14T3264 mit 8x S160032LLLTK (1-800-4-memory
soll ein halbiertes 512MB-Modul sein)
| Modell |
Chipsatz |
Modulbez. des Herstellers |
andere Bez. |
Chips |
Z600 |
| IBM T23 |
i830 |
33L3069 |
KTM-TP390X/256
Kingmax
MSGB63S-68KI3 EBE (3.0-3-3-6@133 MHz, 2.0-2-2-5@100 MHz) |
16 |
getestet, ok |
| |
|
33L3070 |
KTM-TP390X/256 |
16 |
sollte gehen |
| IBM T20,T21,T22 |
i440BX |
20L3070 |
KTM-TP390X/256 |
16 |
sollte gehen |
| Compaq Armada M/E-Serie |
|
161499-002 |
MT16LSDF3264HG-10EB2 |
16 |
getestet, ok |
| Compaq Armada |
|
S/CQ 161554-B2 |
Elpida HB52RD328DC-A6FL (PC100-222) |
16 |
sollte gehen |
| HP Omnibook 4150 |
|
F1654C |
MT16LSDF3264HG-133B2 (3.0-3-3@133 MHz) |
|
|
| Dell Inspiron 7500 |
i440BX |
|
KTD-INSP7500/256 |
16 |
sollte gehen |
| iMac-PM G3-G4 |
|
SwissBit PC133-222
SSN03264O2B22MT-70 |
laut SPD: Siemens SSN33264O2B22MT-70
(3.0-3-3-6@142 MHz,
2.0-2-2-5@133 MHz) |
2x2 vergossen |
getestet, ok |
| |
|
HYS64V32220GBDL-7.5-C2 |
|
16 |
getestet, ok |
| |
|
M464S3323CN0-L1L |
|
16x K4S280832C-NL1L |
sollte gehen |
| |
|
M464S3323BN0-L1L |
|
16x K4S280832B-NL1L |
sollte gehen |
| Compaq Presario 1260 |
VIA PLE133 |
Optosys 32644S3G8C2A-8 16Mx64x2 |
|
2x2 vergossen |
könnte gehen |
| Compaq Presario 1800 |
i440BX |
|
|
|
|
| Compaq Armada E500, M700 |
i440BX |
|
|
|
|
| Dell Inspiron 4000, C600 |
i440BX |
|
|
|
|
| Dell Inspiron 8000, 8100, C800, C810 |
i815 |
58JEV |
|
16 |
sollte gehen |
| Dell Inspiron 2100, 5000 |
i440BX |
58JEV |
KTD-INSP7500/256 |
16 |
sollte gehen |
| Sony PCG-FX505 |
VIA KT133A |
PCGE-MMF256 |
KSY-F250/256 |
16 |
sollte gehen |
| Sony PCG-F212 |
i440BX |
PCGE-MMF256 |
KSY-F250/256 |
16 |
sollte gehen |
| Sony PCG-QR10 |
i815BX |
PCGE-MMF256 |
KSY-F250/256 |
16 |
sollte gehen |
| IBM Thinkpad 600E |
i440BX |
|
|
|
|
| HP Omnibook 900 |
i440BX |
|
KTT-SO100/256 |
|
sollte gehen |
| Toshiba Satellite 1800-911, -314, -614, -204 |
Ali/Trident CyberALADDiN-T |
|
KTT-SO100/256 |
|
|
| Toshiba Portege 7220CTe |
i440BX |
|
KTT-SO100/256 |
|
sollte gehen |
Weitere Module
128MB 168-Pin-SDRAM Samsung KMM374S1623BT-GH
- Organisation: 2 bank, 16Mx72 (=128MB mit ECC)
- 4k Refresh
- Technologie der SDRAM-ICs: 64MBit, 8Mx8-Chips
- Bank-Density: 64MB
- Row-Addresses: 12
- Column-Addresses: 9
- Bestückung: 18x SEC KM48S8030BT-GH
- 4 banks x 8MBit x8 [8 Datenleitungen]
- getestet in: i815E, i810, i440BX
256MB 168-Pin-SDRAM NoName
- SPD falsch: 13 Rows / 10 Columns / 1 Rank / 128MB
- Organisation: 1 bank, 32Mx64 (=256MB)
- 4k Refresh
- Technologie der SDRAM-ICs: 128MBit, 32Mx4-Chips
- Bank-Density: 256MB
- Row-Addresses: 12
- Column-Addresses: 11
- Bestückung: 16x MT48LC32M4A2TG-7E
- 4 banks x 8MBit x4 [4 Datenleitungen]
- getestet in: KT133; in i810, i440BX nur als 128MB erkannt
256MB 168-Pin-SDRAM Siemens HYS64V32220GU-7.5-C2
- Organisation: 2 bank, 32Mx64 (=256MB)
- 4k Refresh
- Technologie der SDRAM-ICs: 128MBit, 16Mx8-Chips
- Bank-Density: 128MB
- Row-Addresses: 12
- Column-Addresses: 10
- Bestückung: 16x HYB39S128800CT-7.5
- 4 banks x 4MBit x8 [8 Datenleitungen]
- getestet in: i810, i440BX, VIA Apollo Pro 133
256MB 168-Pin-SDRAM Corsair CM654S256LP-100C2
- Organisation: 2 bank, 32Mx64 (=256MB)
- 4k Refresh
- Technologie der SDRAM-ICs: 128MBit, 16Mx8-Chips
- Bank-Density: 128MB
- Row-Addresses: 12
- Column-Addresses: 10
- Bestückung: 16x MT48LC16M8A2TG-75B
- 4 banks x 4MBit x8 [8 Datenleitungen]
- getestet in: i810, i440BX, i815, VIA KT133
512MB 168-Pin-SDRAM HYS64V64220GU-7-D
- Organisation: 2 bank, 64Mx64 (=512MB)
- 8k Refresh
- Technologie der SDRAM-ICs: 256MBit, 32Mx8-Chips
- Bank-Density: 256MB
- Row-Addresses: 13
- Column-Addresses: 10
- Bestückung: 16x HYB39S256800DT-7
- 4 banks x 8MBit x8 [8 Datenleitungen]
- getestet in: i815, VIA KT133, VIA Apollo Pro 133
512MB 144-Pin-SODIMM SSN06464P2B32MT-75
- Organisation: 2 bank, 64Mx64 (=512MB)
- 8k Refresh
- Row-Addresses: 13
- Column-Addresses: 10
- Bestückung: 16x MT48LC32M8???
- 4 banks x 8MBit x8 (32Mx8)
- getestet in: i830
- PC133-3336, PC100-2225
512MB 144-Pin-SODIMM SSN06464P3B42MT-75
- Organisation: 2 bank, 64Mx64 (=512MB)
- 8k Refresh
- Row-Addresses: 13
- Column-Addresses: 10
- Bestückung: 16x MT48LC32M8A2Y16Y
- 4 banks x 8MBit x8 (32Mx8)
- getestet in: i830
Erstellt 22.12.2007, zuletzt geändert
09.03.2011 14:42:20,
Besuche. © Christian Enders
Home | Nach oben | Speichermodule PCG-Z600 | SDRAM